英飞凌申请具有裂纹阻止结构的半导体器件及制造方法专利

西棠 · 发表于 8 小时前

金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“具有裂纹阻止结构的半导体器件及制造方法”的专利，公开号CN120527304A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，公开了具有裂纹阻止结构的半导体器件及制造方法，其中，半导体器件(900)包括半导体部(100)，该半导体部(100)包括中心区域(610)和将中心区域(610)与侧向芯片边缘(109)分隔开的外围区域(690)。在半导体部(100)的水平第一主表面(101)上形成层间电介质(200)。在外围区域(690)中，凹槽(211)延伸穿过层间电介质(200)。裂纹阻止结构(300)包括形成在凹槽(211)中的第一部分(310)。在层间电介质(200)和裂纹阻止结构(300)上形成介电层结构(400)，其中，介电层结构(400)和裂纹阻止结构(300)被配置成使得与介电层结构(400)和侧向芯片边缘(109)相交的每个水平面(800)与外围区域(690)中的介电层结构(400)的倾斜表面(403)相交。

		自动登录	找回密码
密码			立即注册

英飞凌申请具有裂纹阻止结构的半导体器件及制造方法专利

浏览过的版块