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三星量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色芯片

2010-2-25 15:44| 发布者: 景芝| 查看: 535| 评论: 0

摘要: 泡泡网内存频道2月25日三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。 这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压，可组装成16/

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